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Tipo: Artigo de Evento
Título : Estudo das propriedades diéletricas do SrBi4Ti4O15 (SBTi) dopado com PbO
Título en inglés: Study of SrBi4Ti4O15 (SBTi) dielelectric properties of doped PbO
Autor : Rodrigues Junior, Cauby Amorim
Silva Filho, José Miranda da
Freitas, Daniel Barros de
Oliveira, Ronaldo Glauber Maia de
Sales, Juscelino Chaves
Sombra, Antônio Sérgio Bezerra
Palabras clave : Cerâmica SrBi4Ti4O15 (SBTi);Difração de raios - X;Dielétricos
Fecha de publicación : 2012
Citación : RODRIGUES JUNIOR, Cauby Amorim; SILVA FILHO, José Miranda da; FREITAS, Daniel Barros de; OLIVEIRA, Ronaldo Glauber Maia de; SALES, Juscelino Chaves; SOMBRA, Antônio Sérgio Bezerra. Estudo das propriedades diéletricas do SrBi4Ti4O15 (SBTi) dopado com PbO. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERÂMICA, 56º.; CONGRESSO LATINO-AMERICANO DE CERÂMICA, 1º.; BRAZILIAN SYMPOSIUM ON GLASS AND RELATED MATERIALS, IX., 03 a 06 jun. 2012, Curitiba, Paraná, Brasil. Anais[…] Curitiba, Paraná, 2012.p.1596-1604.
Resumen en portugués brasileño: A cerâmica SrBi4Ti4O15 (SBTi), perovskite com deficiência de cátion A5B4O15, foi preparada pelo método de reação em estado sólido e em seguida dopado com PbO (na faixa de 2 - 10% em peso). As amostras foram caracterizadas por difração de raios-X (XRD), microscopia eletrônica de varredura (MEV) e espectroscopia de impedância a temperatura ambiente. A análise de raios-X foi realizada pelo refinamento Rietveld. As micrografias das amostras mostram grãos em forma globulares (dopado com PbO). As propriedades dielétricas: constante dielétrica (K’ ou ´) e tangente de perda dielétrica (tg), foram medidas à temperatura ambiente na faixa de frequências de 100 Hz – 1 MHz. Nessas propriedades dielétricas em 1 MHz a amostra dopada com 10% de PbO apresentou a constante dielétrica K´= 168.34 e tangente de perda dielétrica tg = 7,1.10-2. Esses resultados mostram uma boa possibilidade de miniaturização de dispositivos eletrônicos tais como capacitores.
Abstract: The ceramic SrBi4Ti4O15 (SBTI), cation-deficient perovskite A5B4O15, was prepared by the method of solid state reaction and then doped with PbO (in the range 2-10% by weight). The samples were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and impedance spectroscopy at room temperature. The X-ray analysis was performed by the Rietveld refinement. The micrographs of the samples show globular-shaped grains (doped PbO). The dielectric properties: dielectric constant (K' or ') and dielectric loss tangent (tan ), were measured at room temperature in the frequency range 100 Hz - 1 MHz dielectric properties of these 1 MHz sample doped with 10 % PbO showed the dielectric constant K´ = 168.34 and dielectric loss tangent tan = 7,1.10-2. These results show a good possibility of miniaturization of electronic devices such as capacitors.
URI : http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/55906
ISSN : 2175-8891
Aparece en las colecciones: DETE - Trabalhos apresentados em eventos

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