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Tipo: Dissertação
Título: Espalhamento Magneto-Raman por níveis de Landau
Autor(es): Vasconcelos, Eloneid Felipe
Orientador: Auto Neto, Júlio
Palavras-chave em português: Espalhamento - Física;Raman, Espectroscopia de;Níveis de Landau
Palavras-chave em inglês: Scattering - Physics;Raman Spectroscopy;Landau Levels
CNPq: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Data do documento: 1980
Citação: VASCONCELOS, Eloneid Felipe. Espalhamento Magneto-Raman por níveis de Landau. 1980. Dissertação (Mestrado em Ciências) - Departamento de Física, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 1980.
Resumo: Espalhamento Raman por transições eletrônicas entre níveis de Landau é considerado. Calcula-se a seção de choque diferencial incluindo efeitos da interação eletron-fonon LO para um semicondutor tipo-n, usando o formalismo das funções de Green. Uma aplicação é feita para o caso específico do GaAs em campos magnéticos intensos.
Abstract: Raman scattering by electronic transitions between Landau levels is considered. We calculate the differential cross section including effects of the electron-10 phanon interaction for an n-doped semiconductor, making use of the Green function formalism. An application is made for the specific case of G aAs in strong magnetic fields.
Descrição: Este documento está disponível online com base na Portaria nº 348, de 08 de dezembro de 2022, disponível em: https://biblioteca.ufc.br/wp-content/uploads/2022/12/portaria348-2022.pdf, que autoriza a digitalização e a disponibilização no Repositório Institucional (RI) da coleção retrospectiva de TCC, dissertações e teses da UFC, sem o termo de anuência prévia dos autores. Em caso de trabalhos com pedidos de patente e/ou de embargo, cabe, exclusivamente, ao autor(a) solicitar a restrição de acesso ou retirada de seu trabalho do RI, mediante apresentação de documento comprobatório à Direção do Sistema de Bibliotecas.
URI: http://repositorio.ufc.br/handle/riufc/84101
Tipo de Acesso: Acesso Aberto
Aparece nas coleções:DFI - Dissertações defendidas na UFC

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