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http://repositorio.ufc.br/handle/riufc/72330| Tipo: | TCC |
| Título : | Revisão dos dipositivos IGBT’s comerciais utilizados em trabalhos acadêmicos e análise da variação dos preços de MOSFET’s no contexto de pandemia da COVID 19 |
| Autor : | Silva, Rúben Nunes da |
| Tutor: | Daher, Sergio |
| Palabras clave : | IGBT;Evolução tecnológica;Variação de preço;COVID-19 |
| Fecha de publicación : | 2022 |
| Citación : | SILVA, Rúben Nunes da. Revisão dos dipositivos IGBT’s comerciais utilizados em trabalhos acadêmicos e análise da variação dos preços de MOSFET’s no contexto de pandemia da COVID 19. 2022. 255 f. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2022. |
| Resumen en portugués brasileño: | Este trabalho apresenta uma análise da evolução de especificações de dispositivos IGBT’s discretos utilizados em trabalhos acadêmicos nacionais e internacionais ao longo das duas últimas décadas. Além disso, foi realizado o estudo da evolução local dos preços de dispositivos MOSFET ao longo dos últimos quatro anos com o pano de fundo da pandemia da COVID-19 e levando em consideração o histórico de cotação do dólar em reais para o mesmo período. Para o primeiro estudo, considerou-se três fontes para compilação de artigos acadêmicos: o Repositório de Trabalhos Acadêmicos da Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC), a Revista de Eletrônica de Potência da Sociedade Brasileira de Eletrônica de Potência (SOBRAEP) e a Revista de Eletrônica de Potência (Journal of Power Electronics) do Instituto Coreano de Eletrônica de Potência. Das referências de IGBT’s compiladas, coletou-se as principais especificações de datasheet a fim de descrever os dispositivos e analisar os parâmetros de tensão coletor-emissor em condução (VCE(ON)) e de perda total por comutação (𝐸𝑇). Ambas as especificações são menores em dispositivos mais eficientes. Os dispositivos estudados apresentam tensão de bloqueio (VCE(BR)) entre 400 𝑉 e 1200 𝑉 e corrente de coletor (𝐼𝐶) entre 6 𝐴 e 105 𝐴 a 25° 𝐶. As referências de IGBT’s totalizam 73. Observou-se, que houve melhoramento da queda de tensão, VCE(ON), para os dispositivos que apresentam tensões,VCE(BR) = 1,2 𝑘𝑉. Já para dispositivos com tensões de bloqueio menores, constatou-se que não houve melhora do parâmetro VCE(ON). Na especificação de perda total de energia por comutação, 𝐸𝑇, observou-se que para dispositivos de até 650 𝑉 de tensão de bloqueio, houve um decréscimo do parâmetro nos anos de 2008 e 2009 em relação a anos prévios, o que sugere que houve melhoramento nesse período. Já para transistores com tensão de bloqueio máxima de 1,2 𝑘𝑉, observou-se diminuição de valores ao longo das duas últimas décadas, indicando que houve melhoramento do parâmetro. Na análise de preços dos MOSFET’s, constatou-se que os preços dos semicondutores subiram mais que a cotação do dólar para o mesmo período. Isso evidencia que a principal causa foi a escassez de semicondutores causada pela pandemia da COVID-19, apesar do preço do dólar ainda ser um importante fator. |
| Abstract: | This work reports an evolution analysis of specifications of discrete IGBT devices used in national and international academic works over the last two decades. In addition, it comprises the study of the local development of prices for MOSFET devices over the last four years against the backdrop of the COVID-19 pandemic and considering the historical exchange rate of the dollar in reais over the same period. In the first study, three sources were considered to compile the academic articles: the Repository of Academic Works from the Federal University of Santa Catarina (UFSC), the Power Electronics Magazine from the Brazilian Society of Power Electronics (SOBRAEP) and the Journal of Power Electronics from the Korean Institute of Power Electronics. From the compiled IGBT references, the main datasheet specifications were collected in order to characterize the devices and analyze the on-state collector- emitter voltage parameters (VCE(ON)) and total switching loss (𝐸𝑇). Both specs are lower on more efficient devices. The studied devices have the blocking voltage (VCE(BR)) between 400 𝑉 and 1200 𝑉, and collector current (𝐼𝐶) between 6 𝐴 and 105 𝐴 in 25 °𝐶. The references of IGBT's add up to 73. It was noticed that there was improvement for the voltage drop specification, (VCE(ON), for devices that present voltages, VCE(BR) = 1.2 𝑘𝑉. Whereas for devices with lower blocking voltages, there was no improvement in the (VCE(ON) parameter. In the specification of total loss of energy per switching, 𝐸𝑇, it was observed that for devices with up to 650 V of blocking voltage, there was a decrease in the specification in the years 2008 and 2009 compared to previous years, which suggests that there was an improvement in this period. Where as for transistors with a maximum blocking voltage of 1.2 kV, a decrease in values was observed over the last two decades, indicating that there was improvement in the parameter. In the MOSFET price analysis, it was noticed that the prices of semiconductors rose more than the dollar exchange rate for the same period. This reveals that the main cause was the semiconductors shortage caused by the COVID-19 pandemic, despite the dollar price still being an important factor. |
| URI : | http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/72330 |
| Aparece en las colecciones: | ENGENHARIA ELÉTRICA - Monografias |
Ficheros en este ítem:
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