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http://repositorio.ufc.br/handle/riufc/63879| Tipo: | Dissertação |
| Título: | Efeitos de campo magnético nas propriedades de transmissão de hetero-estruturas GaAs/AlxGa1-xAs |
| Autor(es): | Feijão, Márcio Luis Ximenes |
| Orientador: | Freire, Valder Nogueira |
| Palavras-chave: | Elétrons;Schrodinger, Equação de |
| Data do documento: | 1997 |
| Citação: | FEIJÃO, Márcio Luis Ximenes. Efeitos de campo magnético nas propriedades de transmissão de hetero-estruturas GaAs/AlxGa1-xAs. 1997. 99 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 1997. |
| Resumo: | São investigados os efeitos de um campo magnético aplicado transversalmente à direção de crescimento de hetero-estruturas GaAs/ AlxGa1-xAs (em particular, heterojunções, barreiras simples e duplas) nas propriedades de transmissão de elétrons, considerando-se interfaces abruptas e não-abruptas. As interfaces foram descritas por um modelo no qual o potencial e a massa efetiva dos portadores nas regiões interfaciais dependem simultaneamente da variação interfacial da fração molar de alumínio. Como a massa efetiva dos portadores tem dependência espacial nas interfaces, as propriedades de transmissão em heterojunções, barreiras simples e duplas GaAs/ AlxGa1-xAs são calculadas através da solução numérica, via método multisteps, das equações de Schrödinger obtidas a partir do operador energia cinética {p ̂[m(z) -1p ̂}/2 dependente da posição. Verificou-se que o campo magnético modifica consideravelmente as propriedades de transmissão de elétrons em heterojunções, barreiras simples e duplas GaAs/ AlxGa1-xAs deslocando as curvas de transmissão para regiões de altas energias. Os conhecidos efeitos de interfaces não-abruptas na ausência do campo são alterados pela presença do mesmo somente em heterojunções, barreiras simples GaAs/AlxGa1-xAs. Já em barreiras duplas GaAs/AlxGa1-xAs, a assimetria das barreiras quando o campo magnético é aplicado altera as propriedades de transmissão deslocando os picos de ressonância. |
| Abstract: | ln this work we investigate the effects of an applied transverse magnetic field in the growth direction of the GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures (in particular heterojunctions, single and double barriers) in the transmission properties of electrons, considering both abrupt and non-abrupt interfaces. The interfaces were described by a model in which the potential and carriers effective mass 'depends on the interfacial variation of the aluminum molar fraction. The carriers effective mass have spatial dependence in the interfaces, therefore the transmission properties in heterojunctions, single barriers, and double barriers of GaAs/AlxGa1-xAs are numerically calculatecl. We used the multsteps method, and the Schroedinger equations that merge from the position dependent energy kinetic operator p ̂[m(z) -1p ̂}/2. We verified that the magnetic field shifts the transmissions curves to high energy regions for heterostructures GaAs/AlxGa1-xAs in the abrupt and nonabrupt interface abrupt. ln addition, the well known nonabrupt interface effects are altered by magnetic field when we study heterojunctions and single barriers of GaAs/AlxGa1-xAs. Considering double barriers of GaAs/AlxGa1-xAs, in the presence of a magnetic field, the assimetry of barriers is responsible for shifts in the resonances of the transmission coefficient. |
| URI: | http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/63879 |
| Aparece nas coleções: | DFI - Dissertações defendidas na UFC |
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