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dc.contributor.advisorFreire, Valder Nogueira-
dc.contributor.authorFeijão, Márcio Luis Ximenes-
dc.date.accessioned2022-02-10T20:22:46Z-
dc.date.available2022-02-10T20:22:46Z-
dc.date.issued1997-
dc.identifier.citationFEIJÃO, Márcio Luis Ximenes. Efeitos de campo magnético nas propriedades de transmissão de hetero-estruturas GaAs/AlxGa1-xAs. 1997. 99 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 1997.pt_BR
dc.identifier.urihttp://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/63879-
dc.description.abstractln this work we investigate the effects of an applied transverse magnetic field in the growth direction of the GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures (in particular hete­rojunctions, single and double barriers) in the transmission properties of electrons, considering both abrupt and non-abrupt interfaces. The interfaces were described by a model in which the potential and carriers effective mass 'depends on the interfacial variation of the aluminum molar fraction. The carriers effective mass have spatial de­pendence in the interfaces, therefore the transmission properties in heterojunctions, single barriers, and double barriers of GaAs/AlxGa1-xAs are numerically calculatecl. We used the multsteps method, and the Schroedinger equations that merge from the position dependent energy kinetic operator p ̂[m(z) -1p ̂}/2. We verified that the magnetic field shifts the transmissions curves to high energy regions for heterostruc­tures GaAs/AlxGa1-xAs in the abrupt and nonabrupt interface abrupt. ln addition, the well known nonabrupt interface effects are altered by magnetic field when we study heterojunctions and single barriers of GaAs/AlxGa1-xAs. Considering double barriers of GaAs/AlxGa1-xAs, in the presence of a magnetic field, the assimetry of barriers is responsible for shifts in the resonances of the transmission coefficient.pt_BR
dc.language.isopt_BRpt_BR
dc.subjectElétronspt_BR
dc.subjectSchrodinger, Equação dept_BR
dc.titleEfeitos de campo magnético nas propriedades de transmissão de hetero-estruturas GaAs/AlxGa1-xAspt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.description.abstract-ptbrSão investigados os efeitos de um campo magnético aplicado transversalmente à direção de crescimento de hetero-estruturas GaAs/ AlxGa1-xAs (em particular, heterojunções, barreiras simples e duplas) nas propriedades de transmissão de elétrons, considerando-se interfaces abruptas e não-abruptas. As interfaces foram descritas por um modelo no qual o potencial e a massa efetiva dos portadores nas regiões interfaciais dependem simultaneamente da variação interfacial da fração molar de alumínio. Como a massa efetiva dos portadores tem dependência espacial nas interfaces, as propriedades de transmissão em heterojunções, barreiras simples e duplas GaAs/ AlxGa1-xAs são calculadas através da solução numérica, via método multisteps, das equações de Schrödinger obtidas a partir do operador energia cinética {p ̂[m(z) -1p ̂}/2 dependente da posição. Verificou-se que o campo magnético modifica consideravelmente as propriedades de transmissão de elétrons em heterojunções, barreiras simples e duplas GaAs/ AlxGa1-xAs deslocando as curvas de transmissão para regiões de altas energias. Os conhecidos efeitos de interfaces não-abruptas na ausência do campo são alterados pela presença do mesmo somente em heterojunções, barreiras simples GaAs/AlxGa1-xAs. Já em barreiras duplas GaAs/AlxGa1-xAs, a assimetria das barreiras quando o campo magnético é aplicado altera as propriedades de transmissão deslocando os picos de ressonância.pt_BR
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