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Type: Dissertação
Title: O acoplamento plasmaron e a luminescência em semicondutores de gap direto
Authors: Costa Filho, Raimundo Nogueira da
Advisor: Sampaio, Antônio José da Costa
Keywords: Acoplamentos;Luminescência;Green, Funções de
Issue Date: 1993
Citation: COSTA FILHO, Raimundo Nogueira da. O acoplamento plasmaron e a luminescência em semicondutores de gap direto. 1993. 70 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 1993.
Abstract in Brazilian Portuguese: A contribuição do acoplamento plasmaron para o espectro de luminescência de semicondutores de gap direto é calculada. O semicondutor fotoexcitado é descrito como um sistema acoplado de portadores e plasmons20. O espectro de fotoluminescência é obtido utilizando-se as funções de Green de dependência temporal dupla no foramlismo de Zubarev13. As equações acopladas são resolvidas autoconsistentemente dentro da aproximação das fases aleatórias. O acoplamento plasmaron é responsável por alterações na região de mais alta energia do espectro de luminescência. Estas alterações que formam um pico luminescente, vão para a região de mais baixa energia quando a temperatura dos portadores fotoexcitados diminue, isto concorda plenamente com os resultados experimentais14-15 Resultados semelhantes são encontrados quando utlizamos um hamiltoniano que descreve eletrons, buracos e a interação coulombiana entre eles.
Abstract: The contribution of the electron-plasmon coupling to the photoluminescence spectrum of direct gap semicondutors is calculated. The photoexcited semicondutor is described as a coupled sistem of carriers and plasmons20. This coupled sistem of plasmons and electrons is used because it may influence the electron transport properties and its process of luminescence significantly. The photoluminescence spectrum is obtained using double-time Green's functions in the Zubarev13 approach. The coupled equations are solved self consistently within the random phase aproximation. The electron-plasmon coupling is responsible for a enhancement in the high energy side of the photoluminescence spectrum. It shifts towards lower energies when the photoexcited carriers temperature decreases, as was shown in some experimental results''' Similar results are obtained using Hamiltonians to describe electrons, holes and the coulomb interaction between them.
URI: http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/63783
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