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Tipo: Dissertação
Título: Ressonâncias eletrostásticas superficiais de forma em interfaces com um número finito de ondulações
Autor(es): Pereira Júnior, João Milton
Orientador: Farias, Gil de Aquino
Palavras-chave em português: Física;Polaritons
Palavras-chave em inglês: Physical;Polaritons
CNPq: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Data do documento: 1996
Citação: PEREIRA JÚNIOR, João Milton. Ressonâncias eletrostásticas superficiais de forma em interfaces com um número finito de ondulações. 1996. Dissertação (Mestrado em Ciências) - Departamento de Física, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 1996.
Resumo: Neste trabalho são calculadas as frequências de Ressonâncias Eletrostáticas Superficiais de Forma (RESF) para interfaces entre o vácuo e meios dielétricos ativos contendo ondulações com uma variedade de perfis superficiais distintos. São também obtidos valores de frequências de ressonâncias para interfaces com um número crescente de elevações com perfis senoidais, alinhadas paralelamente. Foi observado o surgimento de novos modos de ressonâncias ao se aumentar o número de protuberâncias, caracterizando assim uma tendência à formação de bandas de frequências no limite quando o número de elevações tende ao infinito. Os resultados foram obtidos para interfaces vácuo/metal semi-infinito e vácuo/filme fino metálico depositado sobre um substrato dielétrico.
Abstract: ln this work, the frequencies of Electrostatic Surface Shape Resonances (ESSR) are calculated for active media with ridges on an otherwise plane surface, described by several different surface profiles. Resonance frequencies are also obtained for interfaces with an increasing number of one-dimensional parallel sinusoidal protrusions. It is observed the . appearance of new resonance modes when the number of ridges increases. This fact characterizes a trend to the formation of frequency bands in the limit when the number of protrusions increases towards infinity. The results were obtained for ridges at vacuum/metal interfaces, where the metal occupies a half infinite space; and for a vacuum/metalic film deposited on a dielectric substrate.
Descrição: Este documento está disponível online com base na Portaria nº 348, de 08 de dezembro de 2022, disponível em: https://biblioteca.ufc.br/wp-content/uploads/2022/12/portaria348-2022.pdf, que autoriza a digitalização e a disponibilização no Repositório Institucional (RI) da coleção retrospectiva de TCC, dissertações e teses da UFC, sem o termo de anuência prévia dos autores. Em caso de trabalhos com pedidos de patente e/ou de embargo, cabe, exclusivamente, ao autor(a) solicitar a restrição de acesso ou retirada de seu trabalho do RI, mediante apresentação de documento comprobatório à Direção do Sistema de Bibliotecas.
URI: http://repositorio.ufc.br/handle/riufc/84029
Currículo Lattes do(s) Autor(es): http://lattes.cnpq.br/8000258491459487
Currículo Lattes do Orientador: http://lattes.cnpq.br/5887613029010941
Tipo de Acesso: Acesso Aberto
Aparece nas coleções:DFI - Dissertações defendidas na UFC

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