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Campo DCValorIdioma
dc.contributor.authorRodrigues Junior, Cauby Amorim-
dc.contributor.authorSilva Filho, José Miranda da-
dc.contributor.authorFreitas, Daniel Barros de-
dc.contributor.authorOliveira, Ronaldo Glauber Maia de-
dc.contributor.authorSales, Antônio Jefferson Mangueira-
dc.contributor.authorSilva, Paulo Maria de Oliveira-
dc.contributor.authorSales, Juscelino Chaves-
dc.contributor.authorSilva, Marcelo Antonio Santos da-
dc.contributor.authorSousa, Djalma Gomes de-
dc.contributor.authorCampos Filho, Mucio Costa-
dc.contributor.authorSombra, Antônio Sérgio Bezerra-
dc.date.accessioned2021-01-05T13:34:48Z-
dc.date.available2021-01-05T13:34:48Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationRODRIGUES JUNIOR, Cauby Amorim; SILVA FILHO, José Miranda da; FREITAS, Daniel Barros de; OLIVEIRA, Ronaldo Glauber Maia de; SALES, Antônio Jefferson Mangueira; SILVA, Paulo Maria de Oliveira; SALES, Juscelino Chaves; SILVA, Marcelo Antonio Santos da; SOUSA, Djalma Gomes de; CAMPOS FILHO, Mucio Costa; SOMBRA, Antônio Sérgio Bezerra. Estudo das propriedades diéletricas do SrBi4Ti4O15 (SBTi) dopado com V2O5. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERÂMICA, 57º.; CONGRESSO IBEROAMERICANO DE CERÂMICA, 5º.,19 a 22 maio 2013, Natal, Rio Grande do Norte, Brasil. Anais[…] Natal, Rio Grande do Norte, 2013.p.2718-2724.pt_BR
dc.identifier.urihttp://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/55921-
dc.description.abstractThe SrBi4Ti4O15 (SBTI) is a typical cation-deficient perovskite. This work aims to study the electrical and dielectric properties of the material SBTI doped vanadium oxide (V2O5). The SBTI was prepared by the ceramic method. The powders of bismuth oxide (Bi2O3), titanium oxide (TiO2) and strontium carbonate (SrCO3) were weighed stoichiometrically and mixed. The powders were mixed and milled calcined and then sintered (in the range of 1000 ° C) oven for 3 hours. Tablets were made with cylindrical shapes, and are added 3 wt% polyvinyl alcohol (PVA) on each wafer to promote better bonding. At 10kHz sample SBTi10V (10% V2O5 mass) on the property dielectric constant (K ') showed K' = 48.57, property loss tangent presented tg = 0.111 and electrical conductivity (σ = 3.10-6). Showing it is a good possibility for miniaturization in electronic devices (capacitors, etc).pt_BR
dc.language.isopt_BRpt_BR
dc.subjectPropriedades dielétricaspt_BR
dc.subjectCerâmicaspt_BR
dc.subjectDispositivos eletrônicospt_BR
dc.titleEstudo das propriedades diéletricas do SrBi4Ti4O15 (SBTi) dopado com V2O5pt_BR
dc.typeArtigo de Eventopt_BR
dc.description.abstract-ptbrO SrBi4Ti4O15 (SBTi) é uma típica perovskite com deficiência de cátions. Este trabalho tem como objetivo estudar as propriedades dielétricas e elétrica de do material SBTi dopado de óxido de vanádio (V2O5). O SBTi foi preparado pelo método cerâmico. Os pós de oxido de Bismuto (Bi2O3), Óxido de Titânio (TiO2) e Carbonato de Estrôncio (SrCO3) foram pesados e misturados estequiometricamente. Os pós misturados e moído foi calcinado e em seguida sinterizado (na faixa de 1000ºC) em forno por 3 horas. Foram feitas pastilhas com formas cilíndricas, sendo adicionados 3% em massa de Álcool Polivinílico (PVA) em cada pastilha para promover uma melhor aglutinação. Em 10 kHz a amostra SBTi10V (10% de V2O5 em massa) na propriedade constante dielétrica(K´) apresentou K´= 48.57, na propriedade tangente de perda apresentou tg = 0.111 e na condutividade elétrica (σ = 3.10-6). Mostrando com isso uma boa possibilidade em miniaturização em dispositivos eletrônicos (capacitores, etc).pt_BR
dc.title.enStudy of dielectric properties SRBI4TI4O15 (SBTI) doped V2O5pt_BR
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