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dc.contributor.advisorFarias, Gil de Aquino-
dc.contributor.authorCarvalho, Ricardo Renan Landim de-
dc.date.accessioned2021-11-19T13:50:51Z-
dc.date.available2021-11-19T13:50:51Z-
dc.date.issued1993-
dc.identifier.citationCARVALHO, Ricardo Renan Landim de. Transmissão em barreiras não-abruptas de GaAs/AlxGa1-xAs. 1993. 91 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 1993pt_BR
dc.identifier.urihttp://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/62252-
dc.description.abstractIn the present work we study the effect of non-abrupt interface of GaAs e o AlxGa1-xAs in the transmission coefficient of electrons through single and double barriers. Both methods of finite element and multisteps have been successfully applied. Under the transmission coefficient of electrons on single barrier of GaAs e o AlxGa1-xAs, we also analyse the effect of the kinectic energy operator by considering the effective mass varying with the position. It is also studied the effect of transition regions on the resonant tunneling on double barriers.We propose an analytical method to obtain the transmission coefficient on non-abrupt barrier, applying to an interface of GaAs e o AlxGa1-xAs. It is shown that WKB results correspond to an approximation of this method.pt_BR
dc.language.isopt_BRpt_BR
dc.subjectTunelamento (Física)pt_BR
dc.titleTransmissão em barreiras não-abruptas de GaAs/AlxGa1-xAspt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.description.abstract-ptbrNeste trabalho estudamos o efeito da interface não-abrupta entre o GaAs e o AlxGa1-xAs no coeficiente de transmissão dos elétrons em barreiras simples e duplas de GaAs/AlxGa1-xAs, usando os métodos dos elementos finitos e dos "multisteps". Analisamos também o efeito do operador energia cinética com massa efetiva variável no coeficiente de transmissão em barreiras simples de GaAs e o AlxGa1-xAs. Estudamos ainda o efeito das regiões de transição no tunelamento ressonante de barreiras duplas. Além disto propomos um método analítico para o cálculo do coeficiente de transmissão em barreiras não-abruptas, e o aplicamos a uma heterojunção não-abrupta de GaAs e o AlxGa1-xAs. Os resultados de WKB são obtidos como uma aproximação deste método.pt_BR
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