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http://repositorio.ufc.br/handle/riufc/13735| Tipo: | Dissertação |
| Título: | Caracterização ótica e estrutural de filmes de CdS depositados por banho químico |
| Autor(es): | Neves, Wellington de Queiroz |
| Orientador: | Silva, Marcos Antônio Araújo |
| Palavras-chave: | Filmes de CdS;Propriedades óticas;Espalhamento Raman;Difração de raios X;Efeito Raman;Efeito GAP;Chemical bath deposition |
| Data do documento: | 2013 |
| Citação: | NEVES, W. Q. Caracterização ótica e estrutural de filmes de CdS depositados por banho químico. 2013. 79 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2013. |
| Resumo: | Neste trabalho estudamos as propriedades óticas de filmes de sulfeto de cádmio (CdS) crescidos sobre um substrato de vidro. Os filmes foram obtidos por meio da técnica de deposição por banho químico (Chemical Bath Deposition, CBD). Os filmes de CdS são preparados numa solução aquosa, sob agitação, a uma temperatura de 80 oC durante 60 minutos sobre substrato de vidro. Alguns dos filmes foram obtidos com duplo depósito em dois banhos sucessivos iguais. Como fonte de íons de cádmio é usado sulfato de cádmio (CdSO4,) como fonte de íons de enxofre é usado a tioureia, como tampão é usado cloreto de amônia, e como agente complexante o Ethylenediamine tetra acetic acid (Edta) em várias concentrações. Após o crescimento, os filmes foram submetidos a um tratamento térmico no ar nas temperaturas de 300 ou 400 oC por uma hora. Foram realizadas medidas experimentais usando a técnicas de difração de raios-X, fototransmissão ótica UV-VIS e espectroscopia Raman. Os filmes de CdS obtidos possuem estrutura cúbica e são de coloração amarelada, homogêneos e muito aderentes ao substrato de vidro. São analisados os efeitos da concentração de Edta, tratamento térmico no ar, tempo de deposição e temperatura de crescimento dos filmes de CdS. Nossos resultados mostram que, sob as condições estudadas, os filmes de CdS não possuem fase hexagonal em sua estrutura. O gap dos filmes de CdS está em torno de 2,45 eV, com pequenas variações (2,40 – 2,51 eV) devido às condições experimentais de crescimento ou tratamento térmico após o crescimento. Observamos o modo LO, de simetria A1, em torno de 300 cm-1 e até três sobremodos desse fônon. Em alguns casos, os espectros Raman aparecem sobre uma larga fotoemissão, dependendo das condições experimentais. |
| URI: | http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/13735 |
| Aparece nas coleções: | DFI - Dissertações defendidas na UFC |
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